分子束外延薄膜用超高纯臭氧系统介绍
主要配件
配备３套低温蒸发源（１００～１１００℃），控温精度±０．１℃，坩埚容量１０ｃｃ 配套２套中温蒸发源（３００～１５００℃），控温精度±０．１℃，坩埚容量１０ｃｃ 配备１５ＫｅＶ高能电子衍射系统和图像采集ＣＣＤ 配备射频等离子源（４３３ＭＨｚ） 配备电子束蒸发源 配备液化型超高纯臭氧系统
主要参数
适用１英寸及以下衬底； 衬底加热可达９５０℃；
仪器介绍
| 仪器名称（中文／英文） | 分子束外延薄膜制备系统（ＭＢＥ） Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ |
| 规格型号 | 定制 |
| 仪器功能介绍 | 可外延生长Ｐｔ， Ａｕ， Ｐｄ等金属单晶薄膜，Ｇａ２Ｏ３， ＩＴＯ， ＴｉＯ２等氧化物半导体薄膜以及ＧａＮ， ＩｎＮ等半导体薄膜，用于二维材料、量子器件、超导、半导体、纳米器件、光学及其他材料薄膜沉积研发 |
| 性能指标 | １、适用１英寸及以下衬底； ２、衬底加热可达９５０℃； ３、配备３套低温蒸发源（１００～１１００℃），控温精度±０．１℃，坩埚容量１０ｃｃ ４、配套２套中温蒸发源（３００～１５００℃），控温精度±０．１℃，坩埚容量１０ｃｃ ５、腔体本底真空优于５ｘ１０－１０ｍｂａｒ（完全烘烤后） |
| 样品要求 | 样片直径应为１英寸以下的晶圆或不规则碎片； |
| 仪器说明 | １、配备１５ＫｅＶ高能电子衍射系统和图像采集ＣＣＤ，能够检测薄膜生长，实现原子层级精准控制，电子束光斑大小＜７０μｍ，最大电子束束流３４０μＡ； ２、配备射频等离子源（４３３ＭＨｚ），可实现氧、氮等离子体的产生； ３、配备电子束蒸发源：Ｍａｘ高压是２ｋＶ，加热丝灯丝电流Ｍａｘ４．５Ａ，束流稳定性＜０．０１Ａ／ｓ＝０．２层／ｍｉｎ； ４、配备液化型超高纯臭氧系统，液化池出口臭氧浓度＞９９．５％，最大臭氧浓度１５％ |
