原子层沉积系统臭氧发生器要求原子层沉积系统用臭氧发生器要求如下：臭氧发生器产量10 g/h，浓度不低于80 g/m，臭氧流量可控(0~200 sccm)以下臭氧
原子层沉积（ALD）是一种前沿的纳米结构制造与表面工程技术。该技术通过交替发生的表面饱和化学反应实现原子级精度的可控薄膜生长，具有沉积温度低、保形性好、原子级厚度控制能力、工艺可靠性和重复性好等特点。目前已被开发的ALD过程可用于合成超过150种单质和化合物，包括金属氧化物、氮化物、硫化物、磷化物、
